$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP10NK60ZFP es un MOSFET de potencia protegido por un Zener de N-canal de 600V desarrollado mediante la tecnología SuperMESH ™, logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en bandas bien establecido. Además de una reducción significativa en la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de puerta mejorada y menor disipación de energía para satisfacer los exigentes requisitos actuales de eficiencia.

  • Capacidad dv / dt extremadamente alta
  • 100% Avalancha probada
  • Carga de puerta minimizada
  • Zener-protegido

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 10 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 600 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.65 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 3.75 V
  • Disipación de potencia Pd: 35 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Libre de plomo
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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