$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet STD5N52U  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Excelente capacidad de dv / dt
  • Carga de puerta minimizada
  • Muy bajas capacidades intrínsecas
  • 100° avalancha probado
  • RDS (ON) muy bajo
  • trr extremadamente bajo
  • Aplicaciones: Conmutación, inversores de alto voltaje específicos para televisores LCD, topología de puente completo de iluminación, control de motores

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 525 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 525 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4.4 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 17.6 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 70 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 1.5 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: DPACK
  • Número de pines: 3

Documentación

Datasheet

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