$ 79.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STD10NM60N combina la tecnología avanzada de MOSFET con un encapsulado de baja resistencia para proporcionar un RDS (ON) extremadamente bajo. Este dispositivo es ideal cuando el consumidor necesita impulsar convertidores y rectificadores síncronos, en telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales y retroiluminación LED.


  • 100% avalancha probado
  • Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
  • Baja resistencia de entrada de puerta
  • Aplicaciones: Conversores externos y rectificadores síncronos para consumidores, telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales y retroiluminación LED

Especificaciones

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±25 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 32 A
  • Corriente de avalancha IAR: 4 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 70 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.53 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-252 (DPACK)
  • Número de pines: 3
  • Modelo: 94T3328

    Sustituto

    No Aplicar

    Documentación

    Datasheet

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