$ 226.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPW16N50C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El SPW16N50C3 es un CoolMOS ™ de canal  N es un Power MOSFET que viene con una nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje. Ofrece una carga de puerta ultrabaja y capacitancias ultrabajas efectivas. El CoolMOS ™ C3 de 500 V es la tercera serie de CoolMOS ™ de Infineon con entrada en el mercado en 2001. C3 es el "caballo de batalla" de la cartera.



  •  Baja resistencia al estado ON específico
  • Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
  • Carga de puerta baja (Qg)
  • Calidad CoolMOS ™ probada en campo
  • Alta eficiencia y densidad de potencia
  • Alta fiabilidad
  • Facilidad de uso
  • Avalancha periódica calificada
  • Calificación extrema de dV / dt
  • Transconductancia mejorada
  • Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
  • Aplicaciones: Administración de potencia, comunicaciones y red, electrónica de consumo

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 560 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 560 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 16 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 48 A
  • Corriente de avalancha IAR: 16 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 160 W
  • Resistencia VGS RDS(on) typ (T=25°C): 0.25 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines
  • Modelo: 33P8231

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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