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Transistor SPW16N50C3 Mosfet Potencia CH-N 560 V 16 A
TRASPW16N50C3
Descripción
El transistor SPW16N50C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El SPW16N50C3 es un CoolMOS ™ de canal N es un Power MOSFET que viene con una nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje. Ofrece una carga de puerta ultrabaja y capacitancias ultrabajas efectivas. El CoolMOS ™ C3 de 500 V es la tercera serie de CoolMOS ™ de Infineon con entrada en el mercado en 2001. C3 es el "caballo de batalla" de la cartera.
- Baja resistencia al estado ON específico
- Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) @ 400V
- Carga de puerta baja (Qg)
- Calidad CoolMOS ™ probada en campo
- Alta eficiencia y densidad de potencia
- Alta fiabilidad
- Facilidad de uso
- Avalancha periódica calificada
- Calificación extrema de dV / dt
- Transconductancia mejorada
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Aplicaciones: Administración de potencia, comunicaciones y red, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 560 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 560 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 16 A
- Corriente de drenaje pulsada IDM: 48 A
- Corriente de avalancha IAR: 16 A
- Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 160 W
- Resistencia VGS RDS(on) typ (T=25°C): 0.25 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado TO-247
- 3 pines
- Modelo: 33P8231
Sustituto
No Aplica
Documentación
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