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Transistor STB6NK60ZT4 Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 6 A

Transistor STB6NK60ZT4 Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 6 A

TRASTB6NK60ZT4

$ 65.00 MXN

Precio Regular: $ 76.00
Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet STB6NK60ZT4. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STB6NK60ZT4 es un MOSFET de potencia SuperMESH ™ de canal N que ofrece protección zener y carga de compuerta minimizada. El SuperMESH ™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH ™ basado en tiras bien establecido de ST. Además tiende a bajar significativamente la resistencia de ENCENDIDO, para garantizar una muy buena capacidad dV / dt para las aplicaciones más exigentes.
  • 100% avalancha probado
  • Capacidad dV / dt extremadamente alta
  • Alta corriente
  • Alta velocidad de conmutación
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, conmutación

Especificaciones

  • Transistor, Polaridad Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 24 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 110 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 1.2 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Tipo de caja de transistor: Dpak TO-263
  • 3 pines
  • Modelo: 33R1127

Documentación

Datasheet

Wikipedia


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