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Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 A

Transistor RJP63K2DPP-M0-T2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 630 V 35 A

TRARJP63K2DPPM0T2

$ 46.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar RJP63K2DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 

  • Trinchera de puerta y oblea delgada tecnología (serie G6H-II)
  • Colector voltaje de saturación del emisor: V CE(sat) = 1.9 V
  • Alta velocidad de conmutación: r t = 60 ns tipo, t f = 200 ns
  • Baja fuga corriente: me CES = 1
  • Aplicaciones: Controladores de solenoide y relé, reguladores. convertidores DC-DC y DC-AC, control de motor, amplificadores de audio, automotriz

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje colector emisor VCES: 630 V
  • Voltaje de compuerta a emisor VGES:  ±30  V
  • Corriente colector Ic: 35 A
  • Disipación de potencia Pc: 25 W
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines 

Sustituto

RJP63F3DPP-MO

Documentarian

Datasheet

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