Inicio
» Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A

Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A

TRARJP30E2DPPM0

$ 40.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar RJP30E2DPP-MO de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de compuerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 

  • Tecnología Trench Gate (serie G5H)
  • Bajo voltaje de saturación del colector al emisor VCE (sat)  = 1.7 V
  • Cambio de alta velocidad tf = 150 ns típico
  • Baja corriente de fuga ICES  = 1 μA máxima
  • Aplicaciones: Cambio de potencia de alta velocidad


Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje colector-emisor VCES : 360 V
  • Voltaje compuerta-emisor VGES: ±30  V
  • Corriente colector Ic: 35 A
  • Corriente colector pico Icp:   200 A
  • Disipación de potencia colector Pc: 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220FL
  • Número de pines: 3 

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios