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Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A

Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A

TRARJP30E2

$ 64.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

  • Tecnología de compuerta de trinchera (serie G5H)
  • Voltaje de saturación de colector a emisor bajo VCE (sat) = 1,7 V típico
  • Conmutación de alta velocidad tf = 150 ns típico 
  • Corriente de fuga baja ICES = 1 μA máxima

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje colector emisor Vces: 360 V
  • Voltaje compuerta emisor Vges: ±30 V
  • Corriente colector  Ic: 35 A
  • Disipación colector: 50 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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