$ 46.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El RFP70N06 es un MOSFET de potencia de N-canal de 60V utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, lo que resulta en un rendimiento excepcional. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relés. Este transistor puede ser operado directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

  • Modelo PSPICE® de compensación de temperatura
  • Corriente de pico vs. curva de ancho de pulso
  • UIS Curva clasificada
  • 175 ° C Temperatura de unión nominal

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 70 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 14 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 150 W
  •  Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2996

Documentación

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