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Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 A

Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 A

TRARFD14N05LSM

$ 35.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El RFD14N05LSM es un MOSFET de potencia de canal N fabricado utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza funciones similares a las de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización máxima de silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. Fueron diseñados para su uso en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Este rendimiento se logra a través de un diseño de óxido de compuerta especial que proporciona una conductancia nominal máxima en la polarización de compuerta en el rango de 3V-5V, lo que facilita el verdadero control de encendido-apagado directamente desde los circuitos integrados de nivel lógico (5V).

  • Compensación de temperatura del modelo PSPICE®
  • Puede ser conducido directamente desde circuitos CMOS, NMOS y TTL
  • Curva de corriente máxima frente a ancho de pulso
  • Curva de calificación UIS
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: 50 V
  • Intensidad drenador continua Id: 15 A
  • Resistencia de activación Rds (on): 100 mohms
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): 5 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Temperatura máxima de operación: 175°C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

Sustituto

15N10L

Documentación

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