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Transistor P2503NVG Mosfet Pequeña Señal CH-N y CH-P 30 V 7 A

Transistor P2503NVG Mosfet Pequeña Señal CH-N y CH-P 30 V 7 A

TRAP2503NVG

$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor P2503NVG de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N y P
  • Voltaje máximo VDSS canal N: 30 V
  • Voltaje máximo VDSS canal P: -30 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID canal N: 7 A
  • Corriente máxima ID canal P: -5 A
  • Corriente pulso máxima IDP canal N: 20 A
  • Corriente pulso máxima IDP canal P: - 20 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 2 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on) canal N:  25 mΩ
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on) canal P: 45 mΩ
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: SMD
  • Número de pines: 8

Aplicaciones

  • Fuentes conmutadas pequeñas
  • Convertidores DC-DC
  • Controlar la dirección de giro (adelante/atrás) de pequeños motores de corriente continua (DC)
  • Control de velocidad mediante modulación por ancho de pulsos PWM
  • Circuitos inversores pequeños (DC-AC)
  • Interruptores de carga: Actúa para conectar o desconectar de forma segura la batería del resto del circuito
  • Protección contra polaridad inversa: Evita daños si una fuente de alimentación o batería se conecta al revés.
  • Tarjetas madre (motherboards) de computadoras y laptops para regular líneas de voltaje secundarias
  • Placas de control de pantallas LCD/LED, televisores y monitores

Sustituto

 No Aplica

Documentación

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