$ 33.00 MXN

Precio Regular: $ 3,187.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N y P
  • Voltaje máximo VDSS canal N: 30 V
  • Voltaje máximo VDSS canal P: -30 V
  • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima ID canal N: 7 A
  • Corriente máxima ID canal P: -5 A
  • Corriente pulso máxima IDP canal N: 20 A
  • Corriente pulso máxima IDP canal P: - 20 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 2 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on) canal N:  25 mΩ
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on) canal P: 45 mΩ
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: SMD
  • Número de pines: 8

Sustituto

 No Aplica

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