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Transistor MTP8N50E Mosfet TO220 CH-N 500 V 8 A

Transistor MTP8N50E Mosfet TO220 CH-N 500 V 8 A

TRAMTP8N50E

$ 35.00 MXN

Precio Regular: $ 43.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP8N50E de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP8N50E es un MOSFET de potencia de tercera generación que proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga y es diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y  particularmente adecuado para circuitos puente donde la velocidad del diodo y las áreas de operación segura de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

  • Terminación robusta de alto voltaje
  • Energía de avalancha especificada
  • Tiempo de recuperación de diodo de fuente a drenaje comparable a un diodo de recuperación rápida discreta
  • El diodo se caracteriza para su uso en circuitos de puente
  • IDSS y VDS (encendido) especificado a temperatura elevada
  • Aplicaciones: Administración de potencia, fuentes de alimentación, convertidores, control motor  PWM

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID:8 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 32 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.6 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220

Sustituto

NTE2385  MTP8NC50   STP8NC50FP

Documentación

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