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Transistor MTP6P20E Mosfet TO220 CH-P 200 V 6 A

Transistor MTP6P20E Mosfet TO220 CH-P 200 V 6 A

TRAMTP6P20E

$ 43.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP6P20E está diseñado para soportar alta energía en los modos de conmutación y de avalancha. El diseño de eficiencia energética también ofrece un diodo de drenaje a fuente con un tiempo de recuperación rápido y esta diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM, estos dispositivos son particularmente adecuados para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y las áreas de operación segura de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

  • Energía avalancha especificada
  • Tiempo de recuperación del diodo de drenaje comparable a un diodo de recuperación rápida discreto
  • El diodo se caracteriza para su uso en circuitos de puente
  • IDSS y VDS (encendido) especificado a temperatura elevada
  • Aplicaciones: Conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM, estos dispositivos son particularmente adecuados para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de las áreas de operación seguras son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados

Información Básica

  • Polaridad del transistor:Canal-P
  • Voltaje de drenaje-fuente VDSS: 200 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 200 V
  • Voltaje  de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente  drenaje continua máxima ID: 6 A
  • Disipación máxima PD (TC=25°C): 75 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ:  0.81 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2373 

    Documentación

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