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Transistor MTP60N06HD Mosfet TO220 CH-N 60 V 60 A

Transistor MTP60N06HD Mosfet TO220 CH-N 60 V 60 A

TRAMTP60N06HD

$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

MTP6N60E MOSFET r MTP60N06HD de alto voltaje utiliza un esquema de terminación avanzado para proporcionar una capacidad mejorada de bloqueo de voltaje sin degradar el rendimiento con el tiempo. Además, este avanzado TMOSE – FET está diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. El nuevo diseño de eficiencia energética también ofrece diodos adrain-to-source con un tiempo de recuperación rápido. Diseñados para aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motor PWM, estos dispositivos son particularmente adecuados para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y la conmutación de áreas seguras de operación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

  • Robusta terminación de alto voltaje
  • Energía de avalancha especificada
  • El diodo se caracteriza por su uso en circuitos de puente
  • Aplicaciones: Regulador chopper, convertidor DC-DC, accionamiento de motor, SMPS, iluminación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 10 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 60 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 18 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.94 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTP60N06

Documentación

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