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Descripción

El transistor MTP36N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP36N06 está diseñado para soportar alta energía en los modos de conmutación y de avalancha. Diseñados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y bajo voltaje en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores de potencia, este dispositivo es  particularmente adecuados para circuitos puente donde la velocidad del diodo y las áreas de operación segura de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.

 

  • Conmutación de alta velocidad
  • Energía avalancha comprobada
  • Aplicaciones: Industrial, conmutación, fuente de alimentación, controles de motor


Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 36 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 112 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 90 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.04 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2395  FQP50N06   MTP36N06   MTP50N06   RFP50N06 STP60N06 

    Documentación

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