$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTP23P06V  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTP23P06V está diseñado para soportar alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Diseñado para baja tensión, altas aplicaciones de conmutación de velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y alimentación de controles de motor, estos dispositivos son especialmente adecuados para el puente de circuitos donde la velocidad del diodo y la conmutación de áreas de operación seguras son crítico y ofrece margen de seguridad adicional contra voltaje inesperado transitorios.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Ultra bajo en resistencia
  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
  • 175 °C Temperatura de funcionamiento
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica 

  • Polaridad del transistor: Canal-P
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 23 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 90 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):  120 mΩ
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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