$ 32.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Velocidad de conmutación de nanosegundos
  • Características de transferencia lineal
  • Alta impedancia de entrada
  • 170ns tiempo de otoño
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje máximo Vdss: 60 V
  • Voltaje máximo Vgs: ± 20 V
  • Corriente máxima Id: 15 A
  • Potencia de disipación Pd: 60 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.12 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2389  IRFZ24N  2SK817  IRFIZ34N  2SK1190  IRFZ34N  2SK2723  2SK1420  IRFZ22  IRFZ20 BUZ11 

    Documentación

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