$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El MDF7N65 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales  y diseñado para  conmutación de alta velocidad y aplicaciones de uso general.

  • Conmutación de alta velocidad
  • Aplicaciones:  Fuente de alimentación, PFC, alta corriente, conmutación de alta velocidad

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 7 A 
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 28 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 42 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 1.35 Ω
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220FP
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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