$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El KF5N50 es un MOSFET de banda plana tiene mejores características, como tiempo de conmutación rápida, baja resistencia, baja carga de puerta y excelentes características de balance. Es principalmente adecuado para fuentes de alimentación de balastro electrónico y modo de conmutación.

  • Mejoras en la pérdida de conmutación
  • Pérdida de conducción más baja
  • Recuperación máxima de diodos (dv / dt) 4.5 V/ns
  • Requisitos de unidad sencilla

Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 300 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 5 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 13 A
    • Disipación de potencia máxima PD: 83 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2385

    Documentación

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