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Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 A

Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 A

TRAIRLZ24N

$ 38.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRLZ24NPBF es un mosfet hexfet de 55 V de canal único  que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible a la conexión  por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo reforzado es lo que hace que los  MOSFET de potencia HEXFET sean bien conocidos, proporcionando  al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

  • Unidad de puerta de nivel lógico
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Rango dinámico  dv / dt
  • Cambio rápido
  • Completamente avalancha clasificada
  • Tecnología MOSFET
  • Calidad líder en la industria
  • ± 16V Puerta a voltaje de fuente
  • Factor de reducción lineal de 0.30W / ° C
  • 11A Corriente de avalancha (IAR)
  • 3.3 ° C / W Resistencia térmica, unión a la caja
  • 62 ° C / W Resistencia térmica, unión a ambiente
  • Aplicaciones: Industrial, comercial, administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 18 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 72 A
    • Corriente de avalancha IAR: 11 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 45 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.060ohms (Vgs=10V, Id=11A)
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.075 ohms (Vgs=5V, Id=11A)
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.075 ohms (Vgs=4V, Id=11A)
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No aplica

    Documentación 

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