$ 40.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRLR024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El IRLR024NPBF es un HEXFET® mosfet de quinta generación con alimentación de canal N que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia de ON posible por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Está diseñado para montaje en superficie usando técnicas de soldadura en fase vapor, infrarroja u ola. El nivel de disipación de potencia de hasta 1.5W es posible en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

  • Unidad de puerta de nivel lógico
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Total calificación de avalancha
  • Clasificación dV / dt dinámica
  • Aplicaciones: Administración de Potencia

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 17 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 65 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 2 V
  • Disipación de potencia Pd : 38 W
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima:  175°C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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