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Descripción

El transistor IRGIB15B60KD1 bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

 
  • Bajo VCE (encendido) No Punch a través de la tecnología IGBT
  • Diodo bajo VF.
  • Capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • RBSOA cuadrado
  • Características de recuperación inversa del diodo Ultrasoft
  • Coeficiente de temperatura positivo VCE (encendido)
  • Temperatura máxima de empalme clasificada a 175 ° C
  • Eficiencia de referencia para el control del motor
  • Rendimiento transitorio resistente
  • EMI bajo
  • Excelente intercambio de corriente en operación paralela
  • Aplicaciones: Administración de poder, industrial

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de colector a base VCBO: 600 V
    • Voltaje de colector a emisor VCEO: 600 V
    • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
    • Corriente continua de colector IC (Tc=25°C): 19 A
    • Corriente de colector pulsada ICM: 38 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 52 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220FP
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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