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Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 A

Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 A

TRAIRG7R313U

$ 39.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor IRG7R313U  IGBT diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. Las características adicionales son una temperatura de unión operativa de 150 ° C y una alta capacidad de corriente pico repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este IGBT un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para aplicaciones PDPa.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.


  • Tecnología avanzada Trench IGBT optimizada
  • Para circuitos de recuperación de energía y sostenido en aplicaciones PDP
  • Bajo VCE (encendido) y energía por pulso (EPULSETM) para mejorar la eficiencia del panel
  • Alta capacidad de corriente pico repetitiva

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de colector a emisor VCES: 330 V
  • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±30 V
  • Corriente continua de colector IC: 40 A
  • Corriente de colector pulsada ICM: 160 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 78 W
  • Temperatura de operación mínima: -40 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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