$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador  un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Ultra bajo en resistencia
  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
  • Temperatura de funcionamiento 175 °C
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 49 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 160 A
  • Corriente de avalancha IAR: 25 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 94 W
  • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.0175 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3 

Sustituto

NTE2395   IRFZ44NPBF    HUFA7533P3   IRFZ46NOBF   MTP52N06V    STP55NE06

Documentación

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