$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFU9024 es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de tipo P que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. La versión de cable recto es para aplicaciones de montaje en orificios pasantes. Los niveles de disipación de energía de hasta 1,5 W son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.


  • Valor dinámico dV / dt
  • Resistencia de encendido ultrabaja
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Conmutación rápida
  • Totalmente clasificado para avalanchas
  • Facilidad de paralelizar
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje- fuente Vds: -55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds (on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Intensidad drenador continua Id: -11 A
  • Disipación de potencia Pd: 38 W
  • Resistencia de activación Rds (on): 0.175 ohms
  • Temperatura máxima de operación: 150°C
  • Encapsulado: TO-251
  • 3 Pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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