$ 79.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFS23N15D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


  • Baja carga de compuerta a drenaje para reducir las pérdidas de conmutación
  • Capacitancia totalmente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: Convertidores CC-CC de alta frecuencia

Información Básica

    •  Polaridad: Canal-N
    • Voltaje máximo VDSS: 150 V
    • Voltaje máximo VGSS: ± 20 V
    • Corriente máxima ID: 23 A
    • Corriente pulso drenaje máxima IDM: 92 A
    • Disipación máxima PD (TC=25°C): 3.8 W
    • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):  0.09 Ω
    • Temperatura de operación máxima: 150°C
    • Encapsulado: DPACK
    • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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