$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFR9024PBF es un MOSFET de potencia de canal P de -60V diseñado para una conmutación rápida, un diseño de dispositivo resistente y una baja resistencia. El DPAK está diseñado para el montaje en superficie mediante técnicas de soldadura en fase vapor, infrarrojos o por ola. La versión recta del plomo (IRFU, serie de SiHFU) está para las aplicaciones de montaje del agujero pasante. Los niveles de disipación de potencia de hasta 1,5 W son posibles en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Conmutación rápida

Información Básica

  • Polaridad: Canal P
  • Intensidad drenador continua Id: -8.8 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -60 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 280 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Disipación de potencia Pd: 42 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-251
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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