$ 64.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP9240PBF es un MOSFET de potencia de canal P de -200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Fácil de paralelo
  • Requisito de unidad simple
  • Agujero de montaje central aislado

Información Básica

  • Polaridad: Canal P
  • Intensidad drenador continua Id: -12 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -200 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 500mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -4 V
  • Disipación de potencia Pd: 150W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C Canal-P
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2905 

Documentación

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