$ 60.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


 

  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Clasificado avalancha repetitiva
  • Fácil conexión paralela
  • Requerimiento controlador sencillo
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Administración de Potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 30 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.077 Ohm
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

No aplica

 

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