$ 85.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP460PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.

  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva
  • Fácil de paralelo
  • Requisito de unidad simple
  • Agujero de montaje central aislado

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 20A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 500V
  • Resistencia de Activación Rds(on): 270mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 280W
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2970 

Documentación

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