$ 45.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFP450APBF es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg da como resultado un requerimiento de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS y conmutación de energía de alta velocidad.

  • Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica
  • Capacidad y voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Baja RDS (ON)

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 14 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 400 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 190 W
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

NTE2394 

Documentación

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