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Transistor IRFP254PBF Mosfet Potencia CH-N 250 V 23 A

Transistor IRFP254PBF Mosfet Potencia CH-N 250 V 23 A

TRAIRFP254

$ 105.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP254PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP254 es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

 

El IRFP254  es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete proporciona mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Facilidad de paralelismo
  • Clasificado avalancha repetitiva
  • Orificio de montaje central aislado
  • Requerimientos controlador sencillo
  • Conmutación rápida
  • Aplicaciones: Industrial, Administración de potencia, comercial  

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 250 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 23 A
  • Disipación de potencia Pd: 100 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.14 ohm
  • Temperatura de trabajo máxima 150°C 
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

IRFP4229

Documentación

Datasheet

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