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Transistor IRFP254PBF Mosfet Potencia CH-N 250 V 23 A
TRAIRFP254
Descripción
El transistor IRFP254PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP254 es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete ofrece mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
El IRFP254 es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete proporciona mayores distancias de fuga entre los pines para cumplir con los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Facilidad de paralelismo
- Clasificado avalancha repetitiva
- Orificio de montaje central aislado
- Requerimientos controlador sencillo
- Conmutación rápida
- Aplicaciones: Industrial, Administración de potencia, comercial
Especificaciones
- Polaridad: Canal N
- Tensión drenaje-fuente Vds: 250 V
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Intensidad drenador continua Id: 23 A
- Disipación de potencia Pd: 100 W
- Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.14 ohm
- Temperatura de trabajo máxima 150°C
- Encapsulado TO-247
- 3 pines
Sustituto
IRFP4229
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