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Transistor IRFP044NPBF Mosfet Potencia CH-N 55 V 53 A

Transistor IRFP044NPBF Mosfet Potencia CH-N 55 V 53 A

TRAIRFP044

$ 90.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFP044NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP044 es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

  • 175 ° C temperatura de trabajo
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 53 A
  • Disipación de potencia Pd: 100 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: .020 ohm
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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