$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFIZ48G es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras con un producto estándar. El FULLPAK está montado en un disipador de calor con un único clip o con una sola fijación de tornillo.

  • Paquete aislado
  • 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) Aislamiento de alta tensión
  • Fregadero de 4,8 mm para conducir la distancia de fuga
  • -55 a 175 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
  • Valor dinámico dV / dt
  • Baja resistencia térmica

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 37 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 18 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 50 W
  • Temperatura de trabajo máxima:: 175°C 
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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