$ 95.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFIX44 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


  • Encapsulado aislado
  • Baja capacidad de entrada y carga de la compuerta
  • Baja resistencia de entrada de la compuerta
  • Reducción de las pérdidas de conmutación y conducción
  • 100% probado por avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, conmutación

 

Especificaciones

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±10 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 30 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 120 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 48 W
    • Resistencia de activación RDS(on): 0.028 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2940   IRFIZ24E

    Documentación

    Datasheet

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