$ 50.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFIZ34 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Aislamiento de alto voltaje
  • Encapsulado aislado
  • Totalmente clasificado como avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje fuente Vds: 55 V
  • Intensidad drenador continua Id: 21 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.04 ohms
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 37 W
  • Temperatura de operación mínima: -55A
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

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