$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 6.6A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 500V
  • Resistencia de Activación Rds(on): 520mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 60W
  • Temperatura de Trabajo Máx.: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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