Inicio
» Transistor IRFI740G Mosfet TO220 CH-N 400 V 5.4 A
Transistor IRFI740G Mosfet TO220 CH-N 400 V 5.4 A

Transistor IRFI740G Mosfet TO220 CH-N 400 V 5.4 A

TRAIRFI740

$ 29.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI740G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Baja resistencia térmica
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Totalmente avalancha nominal
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisito de manejo simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje fuente Vds: 400 V
  • Intensidad drenador continua Id5.4 A
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 40 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.55 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Aplicaciones

  • Fuentes de alimentación: Regulación y conmutación en fuentes conmutadas (SMPS)
  • Controladores de motores:  Control de velocidad y dirección en motores de corriente directa (DC)
  • Balastros electrónicos: Control de lámparas y sistemas de iluminación
  • Amplificadores de audio: Etapas de salida para manejar señales de sonido

Sustituto

NTE2945   IRF740FI   IRFIB7N50A   MTP8N50E  

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios