$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI730G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Baja resistencia térmica
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Totalmente avalancha nominal
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisito de manejo simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 3.7 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 1 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4V
  • Disipación de Potencia Pd: 32 W
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2397    2SK1378   IRF740FI

Documentación

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