$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Intensidad drenador continua Id: 5.9 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 400 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on) : 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 32 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C
  • Temperatura de trabajo mínima. -55 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE 2944 

Documentación

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