$ 65.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI540NPBF es un MOSFET de potencia de 100 canales HEXFET® de N canal único con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

  • Paquete aislado
  • Aislamiento de alta tensión 2.5 kVrms
  • 4.8 mm de sumidero para conducir la distancia de fuga
  • Tecnología resistente contra avalanchas
  • Carga de puerta mejorada
  • Área de operación segura ampliada
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
  • Intensidad drenador continua Id: 20 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 52 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 42 W
  • Temperatura de trabajo mínima:  -55 °C
  • Temperatura de trabajo máxima:  175°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines
  • Modelo: 97K2003

Sustituto

NTE2943   IRFI530N

Documentación

Datasheet

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