$ 20.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI540NPBF es un MOSFET de potencia de 100 canales HEXFET® de N canal único con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

  • Paquete aislado
  • 2.5kVrms Aislamiento de alta tensión
  • Fregadero de 4.8 mm para conducir la distancia de fuga
  • Totalmente avalancha

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Tensión drenaje-ruente Vds: 100 V
  • Intensidad drenador continua Id: 20 A
  • Resistencia de activación Rds(on): 52 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 42 W
  • Temperatura de trabajo máxima:  175°C
  • Temperatura de trabajo mínima:  -55 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

NTE2943 

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios