$ 65.00 MXN

Precio Regular: $ 78.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFI530 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Tecnología abalancha
  • Capacitancia de entrada más baja
  • Carga de compuerta mejorada
  • Área de operación segura extendida
  • Corriente de fuga más baja
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje fuente Vds: 100 V
  • Intensidad  drenador continua: 11 A
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión de umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia: 35 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.11 ohms
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines 
  • Modelo: 97K2003

Sustituto

NTE2943 

Documentación

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