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Transistor IRFI3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
TRAIRFI3205
Descripción
El transistor IRFI3205PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFI3205PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de quinta generación de HEXFET® utiliza avanzadas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. Este aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras. El paquete se monta en un disipador de calor con un solo clip o con un único tornillo.
- Tecnología avanzada de procesos
-
Resistencia ON muy baja
-
Paquete aislado
-
Totalmente avalancha
-
Aislamiento de alta tensión=2.5kVRMS
- Sumidero de 4.8 mm para conducir la distancia de fuga
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 390 A
- Corriente de avalancha IAR: 59 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 63 W
- Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.008 Ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220FP
- Número de pines: 3
Sustituto
Documentación
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