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Descripción

El transistor IRFI3205 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFI3205PBF es un MOSFET de potencia de N-canal de quinta generación de HEXFET® utiliza avanzadas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete elimina la necesidad de hardware aislante adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la lengüeta y el disipador de calor externo. Este aislamiento es equivalente a usar una barrera de mica de 100 micras. El paquete se monta en un disipador de calor con un solo clip o con un único tornillo.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Resistencia ON muy baja
  • Paquete aislado
  • Totalmente avalancha
  • Aislamiento de alta tensión=2.5kVRMS
  • Sumidero de 4.8 mm para conducir la distancia de fuga
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 64 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 390 A
    • Corriente de avalancha IAR: 59 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 63 W
    • Resistencia de activación RDS(on): 0.008 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220FP
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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