$ 22.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Información Básica

  •  Polaridad: Canal P
  • Intensidad drenador continua Id: -1 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: -100 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 600 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
  • Tensión umbral Vgs: -2 V
  • Disipación de potencia Pd: 1.3W
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado HVMDIP
  • 4 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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