$ 150.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB42N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Carga baja de compuerta a desagüe para reducir las pérdidas de conmutación
  • Capacitancia completamente caracterizada
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: 
    Convertidores CC-CC de alta frecuencia, control de motores, fuentes de alimentación ininterrumpido

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
  • Intensidad drenador continua Id: 44 A
  • Tensión Vgs de medición  Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 5 V
  • Disipación de potencia Tc=25°C:  330 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.055
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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