$ 60.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB38N20D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB38N20D es un MOSFET de canal N HEXFET de 200 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología planar avanzada.


  • Baja carga de drenaje para reducir las pérdidas de conmutación
  • Capacitancia totalmente caracterizada que incluye COSS efectivo para simplificar el diseño (consulte la nota de aplicación AN1001).
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizada
  • Aplicaciones: Convertidores DC-DC de alta frecuencia, administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 200 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C):  44 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 180 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 320 W
    • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.054Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No aplica

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