$ 31.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRFB3607 tipo T. El IRFB3607PBF es un Mosfet de un solo canal N 75V HEXFET® T con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida utilizando la tecnología MOSFET Trench. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, sistema de alimentación ininterrumpida, de conmutación de potencia de alta velocidad, fuerza conmutados y circuitos de alta frecuencia.
El IRFB3607PBF es un MOSFET de 75 V de canal N HEXFET® de potencia única con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido utilizando tecnología Trench MOSFET. Adecuado para la rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de alta velocidad de potencia, circuitos de alta frecuencia y conmutación.

  • Puerta mejorada, avalancha y robustez dv / dt dinámica
  • Capacidad completamente caracterizada y avalancha SOA
  • Diodo cuerpo mejorado dV / dt y dI / dt capacidad

Especificaciones

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 80 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 75 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.00734 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 140 W
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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