$ 84.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB33N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB33N15D es un MOSFET de potencia N-canal único de HEXFET® que ofrece cargas de puerta a descarga reducidas para reducir las pérdidas de conmutación.


  • Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
  • Aplicaciones: Administración de potencia. convertidores DC-DC de alta frecuencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 150 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 5.5 V
  • Intensidad drenador continua Id: 33 A
  • Disipación de potencia Pd: 3.8 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 56 mohm
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

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