$ 69.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF9630 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF9630PBF es un MOSFET de potencia de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.


  • Clasificación dV / dt dinámica
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal P
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS-200 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20
  • Corriente continua de drenaje ID: -6.5 A
  • Resistencia entre drenaje y fuente: 800 mOhms
  • Disipación de energía Pd: 74 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2373    IRF9640 

Documentación

 

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