$ 60.00 MXN

Precio Regular: $ 75.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRF9321 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF9321TRPBFF es un MOSFET de potencia de canal P HEXFET® único que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. Se ha modificado a través de un marco de conexión personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de doble hilera lo que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de tarjeta reducido drásticamente. El paquete está diseñado para las técnicas de soldadura por fase, infrarrojos o por ola. La disipación de potencia de más de 0.8 W es posible en una aplicación de montaje de PCB típica.


  • Tecnología de la generación V
  • Valor dinámico dV / dt
  • Conmutación rápida
  • Baja resistencia estática de drenaje a fuente ON

Información Básica

  • Polaridad: Canal P
  • Voltaje de drenaje-fuente (Vds): -30 V
  • Voltaje de compuerta-fuente (Vgs): -20 V
  • Corriente continua de drenaje (Id): -15 A
  • Corriente de drenaje pulsado: -120 A
  • Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0072 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

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